Intel Core i7, più potenza nel motore dei notebook
All’Idf 2009 il gigante di Santa Clara ha presentato i nuovi processori per pc mobili all’insegna di prestazioni al top: “i portatili offriranno una velocità analoga a quella di un server Internet”. E si parla già dei chip a 32 nanometri
“Fornire un’esperienza di mobile computing totale”: questo lo slogan che Intel ha utilizzato per presentare nei giorni scorsi a San Ferancisco, nel corso della tappa californiana dell’Idf, i nuovi processori per pc portatili Intel Core i7 e Core i7 Extreme Edition. Processori che hanno già visto il mercato e che ora si presentano a bordo dei notebook a cavallo della microarchitettura Nehalem a 45 nanometri.
Cosa cambia per gli utenti che avranno fra le mani una macchina dotata di queste Cpu? Secondo Dadi Perlmutter, Executive Vice President e General Manager dell’Intel Architecture Group, i notebook equipaggiati con Core i7 offriranno una velocità analoga a quella di un server Internet in mobilità e tale prerogativa, se reale, è ovviamente una manna per chi è solito utilizzare il portatile per giocare, fare editing di video digitali e condividere foto e altro sui siti di social networking. Noti a suo tempo con il nome in codice di “Clarksfield”, i nuovi chip del gigante di Santa Clara si presentano – e queste sono le specifiche tecniche – con il supporto integrato delle tecnologie Intel Turbo Boost e Hyper-Threading, di due canali di memoria DDR3 a 1.333 MHz e, nel caso della famiglia Extreme Edition, con due utility ad hoc per gestire l’overclock e la messa a punto del notebook. Al loro fianco opera il nuovo chipset Pm55 Express.
I primi modelli dotati delle nuove Cpu sono di imminente rilascio – a firma di Hp, Asus, Dell e Toshiba – e per chi non ha fretta è bene sapere che Intel ha già delineato la “road map” dei processori per notebook a venire. “Arrandale” porterà infatti la microarchitettura Nehalem nei notebook da battaglia con chip dual-core e GPU integrata, attributi a cui si aggiungeranno i benefici in fatto di efficienza energetica derivanti dal processo di produzione a 32 nanometri che utilizzerà i transistor con gate metallici ad alta costante k (high k) di seconda generazione.
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